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[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、有机电致发光显示器-CN201710439938.7有效
发明人：赵瑜;陈彩琴 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括：基板；有源半导体层，设置在基板上；第一栅极绝缘层，设置在基板和有源半导体层上；第一栅极，设置在第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，设置在第一栅极和第一栅极绝缘层上，第二栅极绝缘层中具有暴露第一栅极的部分的第一过孔；第二栅极，设置在第二栅极绝缘层上，第二栅极填充第一过孔，以与第一栅极连接接触；层间绝缘层，设置在第二栅极和第二栅极绝缘层上；源极和漏极，彼此间隔设置于层间绝缘层上，源极和漏极贯穿层间绝缘层、第二栅极绝缘层和第一栅极绝缘层，以与有源半导体层分别接触。本发明采用第一栅极和第二栅极并联构成薄膜晶体管中的栅极，以降低传递栅极信号的栅极的电阻值。
薄膜晶体管及其制作方法有机电致发光显示器

[发明专利]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法-CN201910594978.8在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数
存储装置凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法

[实用新型]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管-CN201921025393.6有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数
栅极绝缘层凹槽通道源区凹陷沟道晶体管介电常数栅极结构槽口存储技术领域存储装置阈值电压均一性源漏区填充阱区隔离

[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN202310096232.0在审
发明人：郑多云;丁有光;裵水斌;赵晟原 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据一实施例的显示装置，包括：半导体层，位于基板上；第一栅极绝缘层，位于所述半导体层上；第一栅极导电层，位于所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极导电层上；第二栅极导电层，位于所述第二栅极绝缘层上；第一绝缘层，位于所述第二栅极导电层上；第一接触孔，贯通所述第一绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层；第二接触孔，贯通所述第一绝缘层；以及第三接触孔，贯通所述第一绝缘层及所述第二栅极绝缘层，其中，所述第一绝缘层的剖面为曲面形态。
显示装置制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910038104.4有效
发明人：郑帅;简锦诚;易志根;胡威威;董波;高威 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，包括像素区和端子区；像素区包括栅极、像素电极、栅极保护层、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极；栅极绝缘层上具有第一栅极绝缘层孔，漏极通过第一栅极绝缘层孔与像素电极导通；端子区包括栅极、栅极保护层、栅极绝缘层、金属接触层、第一绝缘层、第二绝缘层、和公共电极。本发明通过在栅极上形成栅极保护层，可以保护栅极不被腐蚀和氧化；通过设计像素电极上方无第二绝缘层，可以提高像素区光的透过率；通过控制干刻时间可控制第一绝缘层和栅极绝缘层的厚度，进而控制公共电极与像素电极之间的距离
一种阵列及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510438446.7有效
发明人：金东昔;李政官 -专利权人： DBHITEK株式会社
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：MOS晶体管包括在衬底上形成的第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层的一侧形成并且厚度大于第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层上形成的栅极，邻近第一栅极绝缘层的源区，以及邻近第二栅极绝缘层的漏区
半导体器件及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310713363.5在审
发明人：高胜;柳冬冬;敖伟;袁波 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括基板、形成于基板上的多晶硅层、形成于多晶硅层上的栅极绝缘层及形成于栅极绝缘层上的栅极层，多晶硅层上形成有沟道区、源极区和漏极区，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层区、第二栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区，第二栅极绝缘层区的厚度小于第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区的厚度，栅极层覆盖第二栅极绝缘层区并部分覆盖第一栅极绝缘层区和第三栅极绝缘层区。该薄膜晶体管采用不同厚度的栅极绝缘层来减小沟道区与源极区或漏极区接触部分的电场，从而达到降低关闭时的漏电流的目的。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN202111449755.6在审
发明人：刘凯军;周佑联;许哲豪;郑浩旋 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请适用于显示技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，薄膜晶体管包括铜栅极、有源层及位于有源层及铜栅极之间的绝缘层组，绝缘层组包括至少三个低速沉积栅极绝缘层，至少三个低速沉积栅极绝缘层依次逐层覆盖在铜栅极上；两个低速沉积栅极绝缘层之间设置有中速沉积栅极绝缘层和/或高速沉积栅极绝缘层。在两个低速绝缘层之间设置中速沉积栅极绝缘层和/或高速沉积栅极绝缘层，提高加工效率。一方面利用下部的低速沉积栅极绝缘层的较致密的特点，有效阻挡金属铜的扩散，另一方面利用上部的低速沉积栅极绝缘层的较致密特点，能够与有源层充分接触，保证绝缘层与有源层界面的清洁程度，减少界面的凹凸现象，提高电子迁移率
薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]显示器件及其制备方法-CN201710750696.3在审
发明人：喻蕾;李松杉 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种显示器件及其制备方法，所述显示器件包括在所述显示器件的薄膜晶体管开关的第一栅极绝缘层与栅极之间设置一第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层的应力介于第一栅极绝缘层的应力与栅极的应力之间。本发明的优点在于，在所述显示器件的薄膜晶体管开关的第一栅极绝缘层与栅极之间设置一第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层的应力介于第一栅极绝缘层的应力与栅极的应力之间，所述第二栅极绝缘层能够很好地平衡所述第一栅极绝缘层与栅极之间的应力，使两者之间的应力更加匹配，防止栅极脱落，进而可以大幅度改善薄膜晶体管开关的性能。
显示器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构、制备方法及动态随机存储器-CN201910815969.7在审
发明人：冯大伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、制备方法及动态随机存储器，所述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成沟槽；在沟槽中形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟槽内侧壁，所述栅极绝缘层的内侧壁由上部内侧壁及下部内侧壁组成；在栅极绝缘层内形成导电层，所述导电层填满所述所述栅极绝缘层下部内侧壁对应的沟槽区域，所述栅极绝缘层及所述导电层形成所述埋入式栅极；在栅极绝缘层上形成绝缘补偿层，所述绝缘补偿层覆盖所述栅极绝缘层的上部内侧壁；在所述沟槽内形成介电层，所述介电层至少覆盖所述导电层的顶面及所述绝缘补偿层的内侧壁。本发明利用绝缘补偿层增加栅极绝缘层的厚度，从而避免栅极漏电流的产生，提高器件的稳定性。
半导体结构制备方法动态随机存储器

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN201410742816.1有效
发明人：金国桓;李锺镐;金宇熙;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：而且，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层分别位于第一区域至第四区域上。在第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的功函数控制材料的量、第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的氮浓度和/或第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层的厚度是变化的。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法与包括薄膜晶体管的显示装置-CN201911248454.X在审
发明人：张宰满;赵寅晫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管包括：有源层，该有源层位于基板上；栅极，该栅极被配置为与所述有源层间隔开并且与所述有源层局部交叠；以及栅极绝缘层，该栅极绝缘层的至少一部分被设置在所述有源层和所述栅极之间，其中，所述栅极绝缘层包括：第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间；以及第二栅极绝缘层，该第二栅极绝缘层被配置为具有与所述第一栅极绝缘层的介电常数不同的介电常数(k)，并且被设置在与所述第一栅极绝缘层相同的层中，并且其中，所述第二栅极绝缘层的至少一部分被设置在所述有源层和所述栅极之间。
薄膜晶体管及其制造方法包括显示装置

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN201710948846.1在审
发明人：黄北洲 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及其制造方法，显示面板的制造方法包括提供基板；设置栅极层于所述基板上；设置栅极绝缘层于所述基板上，并覆盖所述栅极层，其中，所述栅极绝缘层具有第一厚度；通过一光罩，刻蚀位于所述栅极层之上的所述栅极绝缘层，并使位于所述栅极层上的所述栅极绝缘层具有第二厚度，且所述栅极绝缘层具有外表面；设置半导体层于所述栅极绝缘层上；设置源极层和漏极层于所述半导体层上，并暴露出部分所述半导体层；其中，所述栅极绝缘层的第一厚度大于所述栅极绝缘层的第二厚度
显示面板及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202011054692.X有效
发明人：徐琳;杜哲;葛泳;赵东方;李洪瑞 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，该阵列基板包括衬底以及间隔设置在衬底上的第一有源层和第二有源层，衬底上设有覆盖第一有源层和第二有源层的第一栅极绝缘层，第一栅极绝缘层设有第一栅极，第一栅极绝缘层上层叠设置有第二栅极绝缘层和第二栅极，第一栅极与第二栅极间隔设置且位于不同层。本发明将第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层共同作为驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层，将第一栅极绝缘层作为开关晶体管的栅极绝缘层，使得驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度大于开关晶体管的栅极绝缘层的厚度，进而在增加驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅的同时
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN201911020554.7在审
发明人：陈梦 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底基板；第一栅极绝缘层，设于所述衬底基板上，所述第一栅极绝缘层中具有凹槽；栅极层，设于所述第一栅极绝缘层的所述凹槽中；第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层和所述栅极层上；有源层，设于所述第二栅极绝缘层上。本发明提供一种阵列基板及其制备方法，栅极绝缘层分成两个步骤制备，能够降低现有技术中一步制备带来的台阶覆盖性较差的风险，其中第二栅极绝缘层的厚度与阵列基板的电学特性相关，通过控制第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层的厚度比例
一种阵列及其制备方法

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